Título

ESTUDO DA RECRISTALIZAÇÃO SECUNDÁRIA DO AÇO SILÍCIO DE GRÃO ORIENTADO

GRAIN ORIENTED SILICON STEEL SECONDARY RECRYSTALLIZATION STUDY

Autoria

Alcântara, Fabrício Luiz de; Cunha, Marco Antônio da

DOI

10.5151/2594-5327-0162

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Resumo

A forte orientação de Goss do aço silício de grão orientado é desenvolvida por recristalização secundária, cujos mecanismos são ainda objeto de estudo. Trabalhos recentes reforçam a teoria de que os contornos tipo CSL são responsáveis pelo crescimento anormal dos grãos com orientação de Goss. As estruturas de amostras de aço silício de grão orientado regular foram analisadas antes (estrutura primária) e após recristalização secundária (estrutura secundária). As características dos contornos formados pela orientação de Goss com as orientações da matriz primária foram determinadas. Os resultados mostraram que os contornos CSL

 

The strong Goss orientation of grain oriented silicon steel is developed by secondary recrystallization. The mechanisms of abnormal grain growth in silicon steel are not completely understood. Recent publications suggest that CSL boundaries are responsible for the selectivity of Goss grains. In this paper the primary and secondary structures of regular grain oriented silicon steel samples were investigated. Boundary character of Goss grains with primary matrix orientations were determined. The results show that CSL �� boundaries play an important role in the selectivity of Goss grains and that there is good agreement between the fractions of potential Goss nuclei in the primary matrix and the orientation distribution in the secondary structure.

Palavras-chave

Aço silício de grão orientado; Recristalização secundária; Textura.

Grain oriented silicon steel; Secondary recrystallization; Texture.