ISSN 2594-5327
60º Congresso Anual da ABM — vol. 60, num.60 (2005)
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Resumo
O objetivo deste trabalho é investigar o efeito da assistência do plasma Ar/H2 durante a evaporação a vácuo nas propriedades de filmes de Si depositados no substrato de aço-inox AISI 304. Os parâmetros, tempo, temperatura, potência e pressão, 60 minutos, 225°C, 720W e 2.3x10-3mbar respectivamente, foram mantidos fixos durante o processamento por feixe de elétrons e por feixe de elétrons assistido a plasma. Após a deposição a presença de impurezas e espaços vazios nos filmes (voids) foi estudada por meio de medidas com espectroscopia no infravermelho por transformada de Fourrier (FTIRS - Fourier Transform Infrared Spectroscopy). A topologia da superfície foi investigada por microscopia de força atômica (MFA) e a estrutura do filme por espectroscopia de espalhamento Raman. Os resultados de MFA e espectroscopia de espalhamento Raman evidenciaram que o uso da assistência a plasma influência significantemente o espalhamento e a rugosidade do filme amorfo.
The goal of this work is to study the effect of the Ar/H2 plasma during the vacuum evaporation in the properties of films of Si deposited on a substrate of inox iron AISI 304. The parameters, time, temperature, power and pressure, 60 minutes, 225°C, 720W e 2.3x10-3mbar respectively, were kept constant during the evaporations by e-bean and by e-bean with plasma. After the deposition the presence of impurities and voids was studied with the use of Fourrier transform infrared spectroscopy (FTIRS). The topology of the surface was studied with Atomic Force Microscopy (AFM) and the structure with Raman scattering. The results of AFM and the Raman scattering showed that the presence of plasma interferes with the scattering and roughness of the amorphous film.
Palavras-chave
Feixe de elétrons; Filmes finos; Plasma.
E-bean, Thin films, Plasma.
Como citar
Ramanery, Fábio;
Muniz, Eduardo Perini;
Borba, Elenice Cavichioli;
Oliveira, Paulo Eugênio;
Branco, José Roberto Tavares.
ESTUDO DAS PROPRIEDADES DE FILMES DE SILÍCIO PROCESSADOS POR FEIXE DE ELÉTRONS PARA APLICAÇÃO EM CÉLULAS SOLARES
,
p. 3218-3227.
In: 60º Congresso Anual da ABM,
Belo Horizonte,
2005.
ISSN: 2594-5327
, DOI 10.5151/2594-5327-0326
