Título

NOVA ROTA DE SINTERIZAÇÃO DO CARBETO DE SILÍCIO EM ATMOSFERA OXIDANTE

NEW ROUTE FOR SINTERING SILICON CARBIDE IN OXIDIZING ATMOSPHERE

Autoria

Alkimim, Hellen Karina Pereira; Campos, José Brant de; Lima, Eduardo de Sousa; Souza, Rodrigo Fernandes m. de; Carvalho, Magno Torres; Ribeiro, Shanely da Silva; Fortini, Jeremias Ismael n.

DOI

10.5151/2594-5327-39707

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Resumo

A perda de massa causa baixa densidade do SiC sinterizado via fase líquida, comprometendo suas propriedades termo-mecânicas. O objetivo deste trabalho foi desenvolver uma nova rota de sinterização do carbeto de silício (SiC). Tendo como objetivos específicos: (i) estudar o comportamento do SiC com o Al2O3 e Y2O3; (ii) examinar as estruturas, a/as transformações de fases e a perda de massa das composições do SiC puro, do SiC − Al2O3, do SiC − Y2O3 e do SiC − Al2O3 − Y2O3, em temperaturas crescentes (500 até 1400 °C); (iii) investigar o encapsulamento das amostras utilizando uma fonte de carbono (SiC ou grafite), em atmosfera oxidante e inerte; (iv) Comparar a nova rota de processamento com a rota convencional (altas temperaturas e atmosfera inerte). Foram realizadas análises térmicas (TG) até 1600ºC, em atmosfera de argônio e MEV E DRX dos pós como recebidos. O SiC apresenta um ganho de massa pouco expressiva a aproximadamente 900ºC. O SiC com adição de Al2O3 e Y2O3 também apresenta um ganho pouco expressiva.

 

The mass loss causes low density of the sintered SiC via liquid phase, compromising its thermo-mechanical properties. The objective of this work was to develop a new route for sintering silicon carbide (SiC). Having as specific objectives: (i) to study the behavior of SiC with Al2O3 and Y2O3; (ii) examine the structures, phase evolution and mass loss of pure SiC, SiC − Al2O3, SiC − Y2O3 and SiC − Al2O3 − Y2O3 compositions, at increasing temperatures (500 to 1400°C ); (iii) investigate the encapsulation of the samples using a carbon source (SiC or graphite), in an oxidizing and inert atmosphere; (iv) Compare the new processing route with the conventional route (high temperatures and inert atmosphere). Thermal analysis (TG) up to 1600ºC, in argon atmosphere and SEM AND XRD of the powders as received. SiC presents a mass gain that is not very expressive at approximately 900ºC. SiC with the addition of Al2O3 and Y2O3 also shows little expressive gain.

Palavras-chave

SiC; Al2O3; Y2O3; Ganho de massa

SiC; Al2O3; Y2O3; Mass gain