ISSN 2594-5327
55º Congresso anual — Vol. 55 , num. 1 (2000)
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Resumo
Os semicondutores amorfos calcogênicos, como os filmes de sulfeto de arsênio, têm sido objeto de estudos, visando aplicações em novos dispositivos optoeletrônicos. As características principais destes materiais provêm da série de transformações físicas e químicas que sofrem quando expostos a uma fonte de radiação eletromagnética. Neste trabalho são apresentados os resultados de uma série de estudos sistemáticos realizados utilizando um microscópio de força atômica, visando à obtenção de informações relativas à morfologia da superfície dos filmes de sulfeto de arsênio amorfo em escala nanométrica. Este estudo procurou caracterizar as modificações na superfície dos filmes de sulfeto de arsênio amorfo decorrentes da exposição dos mesmos a diferentes fontes de irradiação. Uma lâmpada de Hg-Xe e um laser de Ar+ foram utilizados como fonte de irradiação. As análises morfológicas da superfície evidenciaram a formação de microestruturas durante o período de exposição à radiação da lâmpada. Os filmes expostos à radiação do laser não apresentaram modificações significativas na morfologia de suas superfícies. Além disso, com o intuito de quantificar as irregularidades superficiais, foram também realizadas medidas da rugosidade média da superfície para diferentes tempos de exposição e tipos de fonte.
Os semicondutores amorfos calcogênicos, como os filmes de sulfeto de arsênio, têm sido objeto de estudos, visando aplicações em novos dispositivos optoeletrônicos. As características principais destes materiais provêm da série de transformações físicas e químicas que sofrem quando expostos a uma fonte de radiação eletromagnética. Neste trabalho são apresentados os resultados de uma série de estudos sistemáticos realizados utilizando um microscópio de força atômica, visando à obtenção de informações relativas à morfologia da superfície dos filmes de sulfeto de arsênio amorfo em escala nanométrica. Este estudo procurou caracterizar as modificações na superfície dos filmes de sulfeto de arsênio amorfo decorrentes da exposição dos mesmos a diferentes fontes de irradiação. Uma lâmpada de Hg-Xe e um laser de Ar+ foram utilizados como fonte de irradiação. As análises morfológicas da superfície evidenciaram a formação de microestruturas durante o período de exposição à radiação da lâmpada. Os filmes expostos à radiação do laser não apresentaram modificações significativas na morfologia de suas superfícies. Além disso, com o intuito de quantificar as irregularidades superficiais, foram também realizadas medidas da rugosidade média da superfície para diferentes tempos de exposição e tipos de fonte.
Palavras-chave
AFM, sulfeto de arsênio, efeitos fotoinduzidos, filmes finos, irradiação
AFM, sulfeto de arsênio, efeitos fotoinduzidos, filmes finos, irradiação
Como citar
Maurício, Marcos Henrique de Pinho; Nunes, Raul Almeida; Filho, Olavo Barbosa; Prioli, Rodrigo; Nunes, Valéria B.; Cardie, Aníbal Omar; Zanette, Susana I..
Análise dos efeitos fotoinduzidos na superfície de filmes finos de sulfeto de arsênio amorfo por microscopia de força atômica,
p. 1532-1539.
In: 55º Congresso anual,
Rio de Janeiro, Brasil,
2000.
ISSN: 2594-5327, DOI 10.5151/2594-5327-C00892
