ISSN 2594-5327
49º Congresso anual — Vol. 49, Num. 1 (1994)
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Resumo
Estudou-se a interação entre filmes finos de Ti e SiO₂, utilizados na fabricação de transistores, com estrutura auto-alinhada, em circuitos integrados de tecnologia Metal-Óxido-Semicondutor (MOS). Realizou-se um estudo termodinâmico da interação entre Ti e SiO₂ através de suas possíveis reações químicas. Analisou-se a variação da energia livre de Gibbs das reações da faixa de 25 a 1000 °C, verificando-se que a reação 1⅓ Ti + SiO₂ → 1/3 Ti₅Si₃ + 2 Ti apresenta-se a mais favorável energeticamente, resultado este corroborado por análises de Difração de raios-X (XRD), Espectroscopia de retroespalhamento de Rutherford (RBS) e resistividade em filmes finos de titânio depositados por sputtering sobre dióxido de silício e tratados termicamente em um forno de Tratamento Térmico Rápido (RTP) à pressão atmosférica e ambiente de argônio.
Palavras-chave
Ti-SiO₂, filmes finos, interação reativa, energia livre de Gibbs, tratamento térmico rápido
Como citar
Fontes, Marcelo Bariatto A.; Capocchi, José Deodoro T.; Acquadro, Juan Carlos.
Análise Termodinâmica do Sistema Ti - SiO₂,
p. 4162-4177.
In: 49º Congresso anual,
Rio de Janeiro, Brasil,
1994.
ISSN: 2594-5327, DOI 10.5151/2594-5327-49v9-73-88
