ISSN 2594-5327
53º Congresso anual — Vol. 53 , num. 1 (1998)
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Resumo
Filmes finos de alumina (Al₂O₃) intrínsecos e dopados com Ce, em até 5% at. na solução precursora foram depositados por spray-pirólise, em uma temperatura de substrato de 280 °C, sobre substratos de silício monocristalino (100). Estes filmes foram caracterizados estruturalmente por microscopia eletrônica de transmissão (MET) e difração de raios-X. Também foi investigada a influência do processamento térmico em temperaturas de 1000 e 1200 °C em atmosfera nas características estruturais dos filmes. Os resultados obtidos indicam que a dopagem com Ce influencia a morfologia, a estrutura e a temperatura de transformação de fases
Filmes finos de alumina (Al₂O₃) intrínsecos e dopados com Ce, em até 5% at. na solução precursora foram depositados por spray-pirólise, em uma temperatura de substrato de 280 °C, sobre substratos de silício monocristalino (100). Estes filmes foram caracterizados estruturalmente por microscopia eletrônica de transmissão (MET) e difração de raios-X. Também foi investigada a influência do processamento térmico em temperaturas de 1000 e 1200 °C em atmosfera nas características estruturais dos filmes. Os resultados obtidos indicam que a dopagem com Ce influencia a morfologia, a estrutura e a temperatura de transformação de fases
Palavras-chave
alumina, terras-raras, spray-pirólise
alumina, terras-raras, spray-pirólise
Como citar
Viana, Cátia Cristina Brito; Rocha, Ana Luiza A.; Terrones, Luis Augusto H.; Jr., Herval Ramos Paes.
Caracterização estrutural de filmes finos de Al₂O₃ dopados com Ce,
p. 997-1007.
In: 53º Congresso anual,
Belo Horizonte, Brasil,
1998.
ISSN: 2594-5327, DOI 10.5151/2594-5327-C00406
