ISSN 2594-5327
55º Congresso anual — Vol. 55 , num. 1 (2000)
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Resumo
Processos eletroquímicos e fotoeletroquímicos têm sido estudados como métodos para gravação de microestruturas na superfície de semicondutores. Estas técnicas apresentam algumas vantagens em relação às técnicas de litografia convencionais, como uma maior seletividade espacial de corrosão, a facilidade de controle e monitoramento da taxa de ataque químico. Os filmes de sulfeto de arsênio amorfo (a-As₂S₃), possuem propriedades que os tornam promissores em aplicações como na litografia de alta resolução, como meio para a gravação óptica e em dispositivos optoeletrônicos que operem na faixa do infravermelho. Neste trabalho, foi desenvolvida uma montagem experimental para a avaliação do comportamento eletroquímico de filmes de a-As₂S₃, visando a aplicação desta técnica como método de gravação de microestruturas nestes filmes. Com a aplicação de potenciais eletroquímicos aos filmes de sulfeto de arsênio, em meio ácido, pretende-se obter estruturas com alta resolução e definir as condições para a obtenção desta resolução. Ensaios voltamétricos foram realizados para diferentes taxas de varredura e pH da solução. Os voltamogramas obtidos em solução aquosa de ácido pícrico e ácido nítrico indicaram ação catódica de variados potenciais de ataque. Os resultados demonstraram um comportamento eletroquímico complexo dos filmes de a-As₂S₃, envolvendo a combinação de várias reações e apresentando uma cinética lenta.
Processos eletroquímicos e fotoeletroquímicos têm sido estudados como métodos para gravação de microestruturas na superfície de semicondutores. Estas técnicas apresentam algumas vantagens em relação às técnicas de litografia convencionais, como uma maior seletividade espacial de corrosão, a facilidade de controle e monitoramento da taxa de ataque químico. Os filmes de sulfeto de arsênio amorfo (a-As₂S₃), possuem propriedades que os tornam promissores em aplicações como na litografia de alta resolução, como meio para a gravação óptica e em dispositivos optoeletrônicos que operem na faixa do infravermelho. Neste trabalho, foi desenvolvida uma montagem experimental para a avaliação do comportamento eletroquímico de filmes de a-As₂S₃, visando a aplicação desta técnica como método de gravação de microestruturas nestes filmes. Com a aplicação de potenciais eletroquímicos aos filmes de sulfeto de arsênio, em meio ácido, pretende-se obter estruturas com alta resolução e definir as condições para a obtenção desta resolução. Ensaios voltamétricos foram realizados para diferentes taxas de varredura e pH da solução. Os voltamogramas obtidos em solução aquosa de ácido pícrico e ácido nítrico indicaram ação catódica de variados potenciais de ataque. Os resultados demonstraram um comportamento eletroquímico complexo dos filmes de a-As₂S₃, envolvendo a combinação de várias reações e apresentando uma cinética lenta.
Palavras-chave
eletroquímica, filmes finos, sulfeto de arsênio, litografia úmida, semicondutores
eletroquímica, filmes finos, sulfeto de arsênio, litografia úmida, semicondutores
Como citar
Maurício, Marcos Henrique de Pinho; Nunes, Raul Almeida; Filho, Olavo Barbosa.
Comportamento Eletroquímico de Filmes Finos de Sulfeto de Arsênio Amorfo,
p. 292-299.
In: 55º Congresso anual,
Rio de Janeiro, Brasil,
2000.
ISSN: 2594-5327, DOI 10.5151/2594-5327-C00772
