ISSN 2594-5327
48º Congresso anual — Vol. 48, Num. 1 (1993)
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Resumo
Neste trabalho foi investigado o processo de cristalização do Si em bicamadas Au/a-Si:H a baixas temperaturas. Os filmes finos de Au foram depositados por evaporação térmica e os de Si por deposição química na fase gasosa auxiliada por plasma. As técnicas utilizadas para análise e caracterização das amostras foram: microscopia eletrônica de varredura, espalhamento Raman e medidas elétricas in situ. Foi constatado que a cristalização do a-Si:H induzida por Au é um processo ativado termicamente e governado por nucleação e crescimento de cristais. Os cristais formados apresentam um padrão dendrítico com tamanho médio de cerca de 1 µm. O volume total de Si cristalizado aumenta com o aumento da espessura dos filmes de Au. Durante o crescimento dos grãos dendríticos há a acumulação de Au no contorno destes formando uma malha metálica interconectada que atua como uma rede elétrica. Um modelo de crescimento bidimensional dos cristais no interior do filme de Au levando em conta os resultados experimentais e responsabilizando a fase AuxSi pela liberação, transporte e fornecimento dos átomos de Si foi proposto.
Palavras-chave
silício amorfo hidrogenado , cristalização , ouro , crescimento dendrítico , filmes finos
Como citar
Pasa, André Avelino.
CRISTALIZAÇÃO DO SILÍCIO AMORFO HIDROGENADO A BAIXAS TEMPERATURAS INDUZIDA POR OURO,
p. 773-788.
In: 48º Congresso anual,
Rio de Janeiro, Brasil,
1993.
ISSN: 2594-5327, DOI 10.5151/2594-5327-48v2-01-16
