ISSN 2594-5327
55º Congresso anual — Vol. 55 , num. 1 (2000)
Título
Autoria
DOI
Downloads
Resumo
O presente trabalho enfoca a oxidação ao ar a alta temperatura da liga IC-50 baseada no intermetálico Ni₃Al. Todas as amostras foram oxidadas durante 24 horas, nas temperaturas 900, 1000, 1100, 1200 e 1300°C, em uma microbalança termogravimétrica (TG). Estes ensaios tiveram suas curvas de ganho de massa registradas em um microcomputador, que é conectado à TG através de uma interface. Todos ensaios apresentaram cinéticas de oxidação complexas. Observou-se que a oxidação apresenta cinética de crescimento bimodal parabólico, ou seja, uma cinética de crescimento parabólica para as três primeiras horas de ensaio (etapa inicial de formação da película de óxidos) com constante de crescimento parabólico K₁ e uma cinética de crescimento parabólica para tempos de ensaio superiores com constante de crescimento parabólico K₂, sendo K₁ > K₂.
O presente trabalho enfoca a oxidação ao ar a alta temperatura da liga IC-50 baseada no intermetálico Ni₃Al. Todas as amostras foram oxidadas durante 24 horas, nas temperaturas 900, 1000, 1100, 1200 e 1300°C, em uma microbalança termogravimétrica (TG). Estes ensaios tiveram suas curvas de ganho de massa registradas em um microcomputador, que é conectado à TG através de uma interface. Todos ensaios apresentaram cinéticas de oxidação complexas. Observou-se que a oxidação apresenta cinética de crescimento bimodal parabólico, ou seja, uma cinética de crescimento parabólica para as três primeiras horas de ensaio (etapa inicial de formação da película de óxidos) com constante de crescimento parabólico K₁ e uma cinética de crescimento parabólica para tempos de ensaio superiores com constante de crescimento parabólico K₂, sendo K₁ > K₂.
Palavras-chave
oxidação, intermetálicos, ligas de níquel
oxidação, intermetálicos, ligas de níquel
Como citar
Vicente, André de Albuquerque; Espinosa, Denise Crocce Romano; Tenório, Jorge Alberto Soares.
ESTUDO DA CINÉTICA DE OXIDAÇÃO AO AR A ALTAS TEMPERATURAS DA LIGA IC-50,
p. 367-375.
In: 55º Congresso anual,
Rio de Janeiro, Brasil,
2000.
ISSN: 2594-5327, DOI 10.5151/2594-5327-C00780
