ISSN 2594-5327
35º Congresso anual — Vol. 35, Num. 1 (1980)
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Resumo
O trabalho experimental consistiu do projeto, da construção e da utilização de equipamentos para a obtenção de Si de alta pureza em escala de laboratório. Obteve-se silício policristalino por reação entre SiHCl 3 (g) e H² (g)' ocorrendo a deposição de Si policristalino sobre um substrato de Si sólido. Trabalhou-se a 1090ºC, 10-6 moles de SiHCl³(g)/cm³ H2(g) na alimentação e vazão de H² = 133 cm3/s . A taxa de deposição de Si foi da 2,5 g/h e o rendimento de Si de 0,19. Produziu-se Si de alta pureza, do tipo - p, com resistividade de 1,9 ohm. cm. Foram investigados os efeitos da temperatura e da composição da mistura gasosa sobre a taxa de deposição e o rendimento da reação.
Como citar
Gregolin, José Ângelo Rodrigues; Capocchi, José Deodoro Trani; Filho, Maurício Prates de Campos.
Estudo Experimental da Deposição de Silício com elevado Grau de Pureza a partir de Triclorosilano,
p. 843-858.
In: 35º Congresso anual,
São Paulo, Brasil,
1980.
ISSN: 2594-5327, DOI 10.5151/2594-5327-1980-35-v2-229-244
