ISSN 2594-5327
51º Congresso anual — Vol. 51 , num. 1 (1996)
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Resumo
O nitreto de silício (Si₃N₄) é um material cerâmico que possui elevada resistência em alta temperatura, grande resistência ao choque térmico e ótima resistência à corrosão e à oxidação. Das várias técnicas de obtenção do nitreto de silício, a nitretação direta do silício, segundo a reação 3Si + 2N₂ → Si₃N₄ (em temperaturas de 1420 a 1720 K), possui a vantagem de se obter o produto final com praticamente as mesmas dimensões volumétricas do compacto de silício inicial. Formas complexas podem ser convertidas em Si₃N₄ por esta técnica, sendo o produto final poroso (10 a 30%), constituído de duas fases (α e β) e com resistência à flexão de 150 a 350 MPa. Esta revisão aborda o processo de nitretação direta nos seus aspectos químicos, físicos e microestruturais e, por fim, avalia as propriedades mecânicas do nitreto de silício obtido por este método.
O nitreto de silício (Si₃N₄) é um material cerâmico que possui elevada resistência em alta temperatura, grande resistência ao choque térmico e ótima resistência à corrosão e à oxidação. Das várias técnicas de obtenção do nitreto de silício, a nitretação direta do silício, segundo a reação 3Si + 2N₂ → Si₃N₄ (em temperaturas de 1420 a 1720 K), possui a vantagem de se obter o produto final com praticamente as mesmas dimensões volumétricas do compacto de silício inicial. Formas complexas podem ser convertidas em Si₃N₄ por esta técnica, sendo o produto final poroso (10 a 30%), constituído de duas fases (α e β) e com resistência à flexão de 150 a 350 MPa. Esta revisão aborda o processo de nitretação direta nos seus aspectos químicos, físicos e microestruturais e, por fim, avalia as propriedades mecânicas do nitreto de silício obtido por este método.
Palavras-chave
Nitreto de Silício, Nitretação, Cerâmica Estrutural
Nitreto de Silício, Nitretação, Cerâmica Estrutural
Como citar
Moore, Flavio; Silva, Flavio Teixeira da.
NITRETO DE SILÍCIO VIA NITRETAÇÃO DIRETA DO SILÍCIO – UMA REVISÃO DA LITERATURA,
p. 3176-3191.
In: 51º Congresso anual,
Porto Alegre, Brasil,
1996.
ISSN: 2594-5327, DOI 10.5151/2594-5327-51v5-227-242