ISSN 2594-5327
53º Congresso anual — Vol. 53 , num. 1 (1998)
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Resumo
Sabe-se que o contato metal-semicondutor tem um comportamento retificador do tipo apresentado por uma junção p-n, sendo por isso denominado diodo Schottky. Por suas propriedades elétricas e facilidade de obtenção, o contato metal-semicondutor é extremamente útil no desenvolvimento de circuitos integrados e microprocessadores. Os diodos Schottky estudados foram obtidos pela deposição de alumínio sobre uma película de arseneto de gálio crescida pela técnica de epitaxia por feixe molecular. A definição das mesas para contato elétrico seguiu os procedimentos usuais da fotolitografia por luz ultra-violeta. Inserimos em algumas amostras, dopagem planar que variou de 100Å a 600Å. Utilizando uma fonte de tensão contínua e dois multímetros digitais, obtivemos as curvas I x V, polarizando o diodo tanto direta quanto reversamente. Verificamos que para baixas profundidades de dopagem planar (z < 300Å) o contato tem característica ôhmica, em contraposição, para z > 300Å, o contato é retificador. A partir do gráfico I x V, obtivemos as características elétricas do contato. A partir das teorias de condução no semicondutor, a saber: emissão termiônica, emissão por campo termiônico e emissão por campo, obtivemos a densidade efetiva de portadores de carga que formam a corrente de tunelamento, bem como a que forma a corrente de emissão termiônica. Verificamos que a profundidade da dopagem planar define as características do contato: ôhmica ou retificadora. A grande vantagem destes diodos é trabalhar em altíssimas frequências (faixa de microondas) e seu baixo consumo de energia.
Sabe-se que o contato metal-semicondutor tem um comportamento retificador do tipo apresentado por uma junção p-n, sendo por isso denominado diodo Schottky. Por suas propriedades elétricas e facilidade de obtenção, o contato metal-semicondutor é extremamente útil no desenvolvimento de circuitos integrados e microprocessadores. Os diodos Schottky estudados foram obtidos pela deposição de alumínio sobre uma película de arseneto de gálio crescida pela técnica de epitaxia por feixe molecular. A definição das mesas para contato elétrico seguiu os procedimentos usuais da fotolitografia por luz ultra-violeta. Inserimos em algumas amostras, dopagem planar que variou de 100Å a 600Å. Utilizando uma fonte de tensão contínua e dois multímetros digitais, obtivemos as curvas I x V, polarizando o diodo tanto direta quanto reversamente. Verificamos que para baixas profundidades de dopagem planar (z < 300Å) o contato tem característica ôhmica, em contraposição, para z > 300Å, o contato é retificador. A partir do gráfico I x V, obtivemos as características elétricas do contato. A partir das teorias de condução no semicondutor, a saber: emissão termiônica, emissão por campo termiônico e emissão por campo, obtivemos a densidade efetiva de portadores de carga que formam a corrente de tunelamento, bem como a que forma a corrente de emissão termiônica. Verificamos que a profundidade da dopagem planar define as características do contato: ôhmica ou retificadora. A grande vantagem destes diodos é trabalhar em altíssimas frequências (faixa de microondas) e seu baixo consumo de energia.
Palavras-chave
junção metal-semicondutor, contato ôhmico, contato retificador, dopagem planar, diodo Schottky
junção metal-semicondutor, contato ôhmico, contato retificador, dopagem planar, diodo Schottky
Como citar
Filho, Vicente Braz da Trindade; Franco, Carlos Joel; Rodrigues, Wagner Nunes.
OBTENÇÃO E CARACTERIZAÇÃO ELÉTRICA DA JUNÇÃO METAL-SEMICONDUTOR: FORMAÇÃO DE CONTATOS ÔHMICOS E RETIFICADORES NA ESTRUTURA Al-nGaAs,
p. 1509-1521.
In: 53º Congresso anual,
Belo Horizonte, Brasil,
1998.
ISSN: 2594-5327, DOI 10.5151/2594-5327-C00448
