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Congresso Anual da ABM


ISSN 2594-5327

55º Congresso anual Vol. 55 , num. 1 (2000)


Título

PERFIL DE IMPUREZAS EM AMOSTRA DE SILÍCIO POLICRISTALINO PURIFICADO EM FORNO DE FUSÃO POR FEIXE DE ELÉTRONS

PERFIL DE IMPUREZAS EM AMOSTRA DE SILÍCIO POLICRISTALINO PURIFICADO EM FORNO DE FUSÃO POR FEIXE DE ELÉTRONS

Autoria

DOI

10.5151/2594-5327-C00750

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Resumo

As propriedades fotovoltaicas do silício policristalino dependem principalmente da estrutura cristalina (tamanho de grão e presença de defeitos) e da pureza do material. A produção de silício monocristalino para células solares de alta eficiência requer um processo extremamente complexo e, por conseguinte, muito caro. Portanto a produção de energia fotovoltaica para uso terrestre, em grande escala, necessita de um método alternativo e de baixo custo principalmente em termos de purificação do material de partida. A utilização de silício grau metalúrgico (Si-GM) e a purificação deste por fusão em Forno de Feixe de Elétrons (FFE) sob um vácuo da ordem de 10⁻⁴Pa surge como um método capaz de fornecer um silício de alta pureza (99,999% de Si), como já mostrado em trabalhos anteriores. Neste trabalho são apresentados os resultados de análises químicas de silício policristalino purificado por fusão em forno de feixe de elétrons principalmente em termos de distribuição de impurezas em função da posição na amostra relacionadas à direção de solidificação.

 

As propriedades fotovoltaicas do silício policristalino dependem principalmente da estrutura cristalina (tamanho de grão e presença de defeitos) e da pureza do material. A produção de silício monocristalino para células solares de alta eficiência requer um processo extremamente complexo e, por conseguinte, muito caro. Portanto a produção de energia fotovoltaica para uso terrestre, em grande escala, necessita de um método alternativo e de baixo custo principalmente em termos de purificação do material de partida. A utilização de silício grau metalúrgico (Si-GM) e a purificação deste por fusão em Forno de Feixe de Elétrons (FFE) sob um vácuo da ordem de 10⁻⁴Pa surge como um método capaz de fornecer um silício de alta pureza (99,999% de Si), como já mostrado em trabalhos anteriores. Neste trabalho são apresentados os resultados de análises químicas de silício policristalino purificado por fusão em forno de feixe de elétrons principalmente em termos de distribuição de impurezas em função da posição na amostra relacionadas à direção de solidificação.

Palavras-chave

Forno de Fusão por Feixe de Elétrons, Energia Fotovoltaica, Silício Policristalino

Forno de Fusão por Feixe de Elétrons, Energia Fotovoltaica, Silício Policristalino

Como citar

Pires, José Carlos S.; Otubo, Jorge; Braga, Adriana F.B.; Mei, Paulo R.. PERFIL DE IMPUREZAS EM AMOSTRA DE SILÍCIO POLICRISTALINO PURIFICADO EM FORNO DE FUSÃO POR FEIXE DE ELÉTRONS, p. 84-93. In: 55º Congresso anual, Rio de Janeiro, Brasil, 2000.
ISSN: 2594-5327, DOI 10.5151/2594-5327-C00750