ISSN 2594-5327
35º Congresso anual — Vol. 35, Num. 1 (1980)
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Resumo
Neste trabalho analisam-se se previsões termodinâmicas para a reação entre triclorosilano e hidrogênio, que, em altas temperaturas, permite a coexistência de diversa8 substâncias gasosas, dentre as quais as mais importantes são H², HC1, SiHCl³, SiCl4 e SiCl2, em equilíbrio com o silício sólido (4). Define-se o rendimento termodinâmico t o qual permite a previsão, sob condições de equilíbrio, do efeito da temperatura e da composição de reagentes, sobre o favorecimento da deposição de silício ou inversamente, da dissolução do silício sólido (5). Os fatores cinéticos do processo são apresentados através dos modelos analíticos desenvolvidos por Laskafeld & Rosnov (6) (pelo coeficiente de transferência de massa) e Bawa, Goodman & Truitt (7) (pela espessura da camada gasosa), mostrando que variáveis operacionais, tais como temperatura de reação, vazão, composição dos reagentes e raio do substrato de deposição, influenciam a taxa de deposição de silício e o rendimento da reação.
Como citar
Gregolin, José Ângelo Rodrigues; Capocchi, José Deodoro Trani.
Revisão dos Fundamentos Termodinâmicos e Cinéticos do Processo de Deposição de Silício pela Redução de triclorosilano por Hidrogênio,
p. 831-842.
In: 35º Congresso anual,
São Paulo, Brasil,
1980.
ISSN: 2594-5327, DOI 10.5151/2594-5327-1980-35-v2-217-228
