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Congresso Anual da ABM


ISSN 2594-5327

55º Congresso anual Vol. 55 , num. 1 (2000)


Título

Textura e Anisotropia do Aço Silício

Textura e Anisotropia do Aço Silício

Autoria

DOI

10.5151/2594-5327-C00889

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Resumo

Na maioria das aplicações dos aços ao silício de grão não orientado é desejável que as propriedades magnéticas sejam isotrópicas. O processo de fabricação, entretanto, leva a um certo grau de anisotropia, devido à orientação preferencial dos grãos e ao alinhamento de inclusões e precipitados. A anisotropia da perda magnética e da indução a 5000 A/m foi estudada em função da textura cristalográfica, expressa pela energia de anisotropia média, e da distribuição de partículas de precipitado no material. A anisotropia da indução depende unicamente da textura cristalográfica, enquanto a anisotropia da perda magnética depende da distribuição de partículas e da textura. O efeito da distribuição de partículas é predominante a 1,0 T e o efeito da textura é o mais significativo a 1,5 T.

 

Na maioria das aplicações dos aços ao silício de grão não orientado é desejável que as propriedades magnéticas sejam isotrópicas. O processo de fabricação, entretanto, leva a um certo grau de anisotropia, devido à orientação preferencial dos grãos e ao alinhamento de inclusões e precipitados. A anisotropia da perda magnética e da indução a 5000 A/m foi estudada em função da textura cristalográfica, expressa pela energia de anisotropia média, e da distribuição de partículas de precipitado no material. A anisotropia da indução depende unicamente da textura cristalográfica, enquanto a anisotropia da perda magnética depende da distribuição de partículas e da textura. O efeito da distribuição de partículas é predominante a 1,0 T e o efeito da textura é o mais significativo a 1,5 T.

Palavras-chave

aço silício, textura, anisotropia, propriedades magnéticas

aço silício, textura, anisotropia, propriedades magnéticas

Como citar

Cunha, Marco Antônio da; Luna, Paulo César. Textura e Anisotropia do Aço Silício, p. 1506-1510. In: 55º Congresso anual, Rio de Janeiro, Brasil, 2000.
ISSN: 2594-5327, DOI 10.5151/2594-5327-C00889