Title

ANÁLISE DA CINÉTICA DO TRATAMENTO TÉRMICO EM ÍMÃS SmCo₅ E Sm(CoCuFeZr)

ANÁLISE DA CINÉTICA DO TRATAMENTO TÉRMICO EM ÍMÃS SmCo₅ E Sm(CoCuFeZr)

Authorship

CAMPOS, MARCOS FLÁVIO DE; RIOS, PAULO RANGEL

CAMPOS, MARCOS FLÁVIO DE

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RIOS, PAULO RANGEL

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DOI

10.5151/2594-5327-4296

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Abstract

O processamento de ímãs SmCo₅ e Sm(CoCuFeZr)z inclui um tratamento térmico, o qual é responsável por significativo aumento do campo coercivo. É apresentada uma metodologia para modelamento do efeito do tratamento térmico sobre o campo coercivo, baseado-se na hipótese que o efeito é consequência da eliminação de defeitos de reticulado de equilíbrio, como lacunas ou átomos substitucionais. A "distância média de difusão" é calculada conforme as Leis de Fick, supondo-se que a etapa mais lenta do processo é a difusão de átomos de terra-rara pelo reticulado. A "distância média de difusão" pode ser comparada com aspectos microestruturais, e a evolução da "distância média de difusão" com o tempo de tratamento térmico pode ser comparada com a evolução do campo coercivo em função do tempo. Os resultados mostram que, no caso do SmCo₅, o tempo de tratamento térmico é ~20 vezes menor se, em vez de um tratamento isotérmico a 850°C, um resfriamento lento a partir de 1150°C é empregado. A "distância média de difusão" encontrada para um tratamento térmico típico em ímãs SmCo₅ é ~100 microns, uma ordem de grandeza maior que o tamanho médio de grão (~10 microns) desses ímãs. Para um tratamento térmico típico de ímãs Sm(CoCuFeZr)z foi encontrada distância média de difusão de 1 micron, a qual é também uma ordem de grandeza maior que o tamanho médio de cristais nesses ímãs, que é de ~0,15 microns.

O processamento de ímãs SmCo₅ e Sm(CoCuFeZr)z inclui um tratamento térmico, o qual é responsável por significativo aumento do campo coercivo. É apresentada uma metodologia para modelamento do efeito do tratamento térmico sobre o campo coercivo, baseado-se na hipótese que o efeito é consequência da eliminação de defeitos de reticulado de equilíbrio, como lacunas ou átomos substitucionais. A "distância média de difusão" é calculada conforme as Leis de Fick, supondo-se que a etapa mais lenta do processo é a difusão de átomos de terra-rara pelo reticulado. A "distância média de difusão" pode ser comparada com aspectos microestruturais, e a evolução da "distância média de difusão" com o tempo de tratamento térmico pode ser comparada com a evolução do campo coercivo em função do tempo. Os resultados mostram que, no caso do SmCo₅, o tempo de tratamento térmico é ~20 vezes menor se, em vez de um tratamento isotérmico a 850°C, um resfriamento lento a partir de 1150°C é empregado. A "distância média de difusão" encontrada para um tratamento térmico típico em ímãs SmCo₅ é ~100 microns, uma ordem de grandeza maior que o tamanho médio de grão (~10 microns) desses ímãs. Para um tratamento térmico típico de ímãs Sm(CoCuFeZr)z foi encontrada distância média de difusão de 1 micron, a qual é também uma ordem de grandeza maior que o tamanho médio de cristais nesses ímãs, que é de ~0,15 microns.

Keywords

ímãs permanentes, tratamentos térmicos, SmCo₅, SmCoFeCuZr

ímãs permanentes, tratamentos térmicos, SmCo₅, SmCoFeCuZr