ISSN 2594-5327
50th Congresso anual — Vol. 50 , num. 1 (1995)
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Abstract
Foram crescidos monocristais semicondutores Pb₁₋ₓSnₓTe através do Método Bridgman. Selecionou-se a liga Telureto de Chumbo-Estanho por apresentar banda de energia do tipo direto da ordem de 0,30 eV, permitindo operação no intervalo de 3–30 µm, ou seja, ideal na fabricação de detectores fotovoltaicos para a operação na região do infravermelho termal (8–14 µm). As análises obtidas por microscópio óptico, microscopia eletrônica de varredura e medidas de raios-X indicaram que os resultados obtidos foram bastante satisfatórios, verificando-se, nos cristais crescidos, a presença de alta homogeneidade na sua composição e uma baixa densidade de defeitos.
Foram crescidos monocristais semicondutores Pb₁₋ₓSnₓTe através do Método Bridgman. Selecionou-se a liga Telureto de Chumbo-Estanho por apresentar banda de energia do tipo direto da ordem de 0,30 eV, permitindo operação no intervalo de 3–30 µm, ou seja, ideal na fabricação de detectores fotovoltaicos para a operação na região do infravermelho termal (8–14 µm). As análises obtidas por microscópio óptico, microscopia eletrônica de varredura e medidas de raios-X indicaram que os resultados obtidos foram bastante satisfatórios, verificando-se, nos cristais crescidos, a presença de alta homogeneidade na sua composição e uma baixa densidade de defeitos.
Keywords
crescimento, monocristais, Bridgman
crescimento, monocristais, Bridgman
How to cite
Baldacim, Sandro Aparecido; Pagnano, Carlos Alberto Guimarães; Neto, Carlos de Moura.
Crescimento de Monocristais Utilizando a Liga Pb₁₋ₓSnₓTe Através do Método Bridgman,
p. 2197-2212.
In: 50th Congresso anual,
São Pedro-SP, Brasil,
1995.
ISSN: 2594-5327, DOI 10.5151/2594-5327-50v4-459-474