Title

Cristalização de a-Si:H Induzida por Siliceto em Bicamadas Cu/a-Si:H

Cristalização de a-Si:H Induzida por Siliceto em Bicamadas Cu/a-Si:H

Authorship

BERNARDINO, LUIZ ANTONIO FERREIRA; ACHETE, CARLOS ALBERTO; NIEHUS, HORST

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ACHETE, CARLOS ALBERTO

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NIEHUS, HORST

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DOI

10.5151/2594-5327-50v4-199-212

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Abstract

Neste trabalho foi estudado o processo de cristalização do a-Si:H em bicamadas Cu/a-Si:H utilizando modernas técnicas de análise microestrutural como a microscopia de força atômica (AFM - “Atomic Force Microscopy”), as espectroscopias Auger e Raman e a microscopia eletrônica de varredura (MEV). Os resultados obtidos mostram que a cristalização do a-Si:H, quando em contato com o siliceto de cobre (previamente formado a 200 ºC), se inicia a partir de 320 ºC. Esta temperatura é bem inferior à obtida para a cristalização do a-Si:H (550 ºC) e menor ainda que a temperatura obtida para a cristalização do silício amorfo em bicamadas Cu/a-Si (480 ºC). Através das microscopias de força atômica e eletrônica de varredura foi possível verificar que a medida que ocorre a cristalização do a-Si:H o siliceto se acumula em torno dos núcleos de silício cristalizado formando uma espécie de malha interconectada. Foi possível ainda determinar que os núcleos de silício se constituem na verdade, de inúmeros microcristais de silício de tamanho em torno de 350 nm. A espectroscopia Raman foi utilizada para confirmação da cristalinidade dos núcleos de silício.

Neste trabalho foi estudado o processo de cristalização do a-Si:H em bicamadas Cu/a-Si:H utilizando modernas técnicas de análise microestrutural como a microscopia de força atômica (AFM - “Atomic Force Microscopy”), as espectroscopias Auger e Raman e a microscopia eletrônica de varredura (MEV). Os resultados obtidos mostram que a cristalização do a-Si:H, quando em contato com o siliceto de cobre (previamente formado a 200 ºC), se inicia a partir de 320 ºC. Esta temperatura é bem inferior à obtida para a cristalização do a-Si:H (550 ºC) e menor ainda que a temperatura obtida para a cristalização do silício amorfo em bicamadas Cu/a-Si (480 ºC). Através das microscopias de força atômica e eletrônica de varredura foi possível verificar que a medida que ocorre a cristalização do a-Si:H o siliceto se acumula em torno dos núcleos de silício cristalizado formando uma espécie de malha interconectada. Foi possível ainda determinar que os núcleos de silício se constituem na verdade, de inúmeros microcristais de silício de tamanho em torno de 350 nm. A espectroscopia Raman foi utilizada para confirmação da cristalinidade dos núcleos de silício.

Keywords

Cristalização, Siliceto

Cristalização, Siliceto