Title

MATERIAIS PARA A FABRICAÇÃO DE TRANSISTORES DE FILMES FINOS A BAIXA TEMPERATURA

MATERIALS FOR THIN FILM TRANSISTORS FABRICATION AT LOW TEMPERATURE

Authorship

Viana, Carlos Eduardo; Rocha, Otávio Filipe da; Zampieron, João Vicente; Gonçalves, Luiz Carlos Donizetti; Morimoto, Nilton Itiro

Viana, Carlos Eduardo

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Rocha, Otávio Filipe da

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Zampieron, João Vicente

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Gonçalves, Luiz Carlos Donizetti

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Morimoto, Nilton Itiro

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DOI

10.5151/2594-5327-0164

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Abstract

Neste trabalho são apresentados e discutidos diferentes tipos de materiais para fabricação de transistores de filmes finos – TFTs – utilizando baixa temperatura de processamento. Os materiais utilizados neste trabalho são: alumínio, silício amorfo, óxido de silício e paládio. O foco principal deste trabalho é o processo de deposição de filmes de óxido de silício – PECVD. Os principais resultados apresentados são: taxa de deposição em função da temperatura do substrato, espectros FTIRS e suas propriedades elétricas através da implementação de capacitores MOS (alumínio / óxido de silício / substrato de silício monocristalino), ou seja: tensão de banda-plana, constante dialética, densidade efetiva de cargas, corrente de fuga a 5 MV/cm e campo elétrico de ruptura da rigidez dialética. Finalmente as perspectivas e próximas etapas do processo de fabricação dos transistores de filmes finos a baixa temperatura de processamento são apresentadas.

In this work we present and discuss about the different kinds of materials to fabricate thin film transistors – TFTs - in low temperature process regime. The materials used in this work are: aluminum, amorphous silicon, silicon oxide and palladium. Main focus of this work is the insulator silicon oxide deposition process – PECVD. The results presented are: deposition rate as a function of substrate temperature curve, FTIRS spectra and obtained electric properties by implemented MOS capacitors (aluminum / silicon oxide / monosilicon substrate), i.e. flat-band voltage, dielectric constant, effective charge density, leakage current at 5 MV/cm and breakdown strength. Finally the perspectives and next steps of the process to fabricate thin films transistors at low temperature are presented.

Keywords

Etraetilortosilicato - deposição química a vapor enriquecida por plasma; Deposição de [óxido de silício a baixa temperatura; Transistores de filmes finos.

PECVD-Tetraethylorthosilicate; Low temperature deposition silicon oxide; Thin film transistors.