ISSN 2594-5327
51th Congresso anual — Vol. 51 , num. 1 (1996)
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Abstract
O nitreto de silício (Si₃N₄) é um material cerâmico que possui elevada resistência em alta temperatura, grande resistência ao choque térmico e ótima resistência à corrosão e à oxidação. Das várias técnicas de obtenção do nitreto de silício, a nitretação direta do silício, segundo a reação 3Si + 2N₂ → Si₃N₄ (em temperaturas de 1420 a 1720 K), possui a vantagem de se obter o produto final com praticamente as mesmas dimensões volumétricas do compacto de silício inicial. Formas complexas podem ser convertidas em Si₃N₄ por esta técnica, sendo o produto final poroso (10 a 30%), constituído de duas fases (α e β) e com resistência à flexão de 150 a 350 MPa. Esta revisão aborda o processo de nitretação direta nos seus aspectos químicos, físicos e microestruturais e, por fim, avalia as propriedades mecânicas do nitreto de silício obtido por este método.
O nitreto de silício (Si₃N₄) é um material cerâmico que possui elevada resistência em alta temperatura, grande resistência ao choque térmico e ótima resistência à corrosão e à oxidação. Das várias técnicas de obtenção do nitreto de silício, a nitretação direta do silício, segundo a reação 3Si + 2N₂ → Si₃N₄ (em temperaturas de 1420 a 1720 K), possui a vantagem de se obter o produto final com praticamente as mesmas dimensões volumétricas do compacto de silício inicial. Formas complexas podem ser convertidas em Si₃N₄ por esta técnica, sendo o produto final poroso (10 a 30%), constituído de duas fases (α e β) e com resistência à flexão de 150 a 350 MPa. Esta revisão aborda o processo de nitretação direta nos seus aspectos químicos, físicos e microestruturais e, por fim, avalia as propriedades mecânicas do nitreto de silício obtido por este método.
Keywords
Nitreto de Silício, Nitretação, Cerâmica Estrutural
Nitreto de Silício, Nitretação, Cerâmica Estrutural
How to cite
Moore, Flavio; Silva, Flavio Teixeira da.
NITRETO DE SILÍCIO VIA NITRETAÇÃO DIRETA DO SILÍCIO – UMA REVISÃO DA LITERATURA,
p. 3176-3191.
In: 51th Congresso anual,
Porto Alegre, Brasil,
1996.
ISSN: 2594-5327, DOI 10.5151/2594-5327-51v5-227-242
