Title

SIMULAÇÃO ATOMÍSTICA DA PROPAGAÇÃO DE TRINCAS EM UM CONTORNO DE GRÃO DE FERRO CCC CONTENDO IMPUREZAS DE NIQUEL E CROMO

SIMULAÇÃO ATOMÍSTICA DA PROPAGAÇÃO DE TRINCAS EM UM CONTORNO DE GRÃO DE FERRO CCC CONTENDO IMPUREZAS DE NIQUEL E CROMO

Authorship

NOGUEIRA, RENATA NASCIMENTO; FARKAS, DIANA; RUDA, MARGARITA; SCHÖN, CLÁUDIO GERALDO

NOGUEIRA, RENATA NASCIMENTO

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FARKAS, DIANA

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RUDA, MARGARITA

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SCHÖN, CLÁUDIO GERALDO

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DOI

10.5151/2594-5327-C01397

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Abstract

Neste trabalho discutimos, a partir de cálculos teóricos, a influência de impurezas de Cr e Ni em mecanismos de fratura num contorno de grão simétrico (210)[001] de Fe CCC. Para tanto, realizamos simulações atomísticas alterando a quantidade e a posição das impurezas. Estas simulações foram realizadas utilizando-se potenciais interatômicos parametrizados tipo EAM (Embedded Atom Method). Os sistemas são representados por um bloco grande o suficiente para que os resultados não fossem afetados por suas dimensões. Inicialmente, investigamos quais as posições preferenciais de cada impureza neste sistema, encontrando que Cr e Ni tendem a ocupar posições no contorno, mas em sítios de diferentes simetrias, aos quais denotamos a (no centro do contorno) e b (em sua primeira vizinhança). Simulamos então fraturas no contorno de grão para sistemas com uma impureza isolada, uma e duas linhas de impurezas em sítios a ou b no contorno. Encontramos comportamentos distintos em função do tipo, da quantidade e das posições ocupadas pelas impurezas. A análise preliminar das curvas R indica que a posição ocupada pelas impurezas parece ter papel fundamental na alteração de tenacidade deste sistema.

Neste trabalho discutimos, a partir de cálculos teóricos, a influência de impurezas de Cr e Ni em mecanismos de fratura num contorno de grão simétrico (210)[001] de Fe CCC. Para tanto, realizamos simulações atomísticas alterando a quantidade e a posição das impurezas. Estas simulações foram realizadas utilizando-se potenciais interatômicos parametrizados tipo EAM (Embedded Atom Method). Os sistemas são representados por um bloco grande o suficiente para que os resultados não fossem afetados por suas dimensões. Inicialmente, investigamos quais as posições preferenciais de cada impureza neste sistema, encontrando que Cr e Ni tendem a ocupar posições no contorno, mas em sítios de diferentes simetrias, aos quais denotamos a (no centro do contorno) e b (em sua primeira vizinhança). Simulamos então fraturas no contorno de grão para sistemas com uma impureza isolada, uma e duas linhas de impurezas em sítios a ou b no contorno. Encontramos comportamentos distintos em função do tipo, da quantidade e das posições ocupadas pelas impurezas. A análise preliminar das curvas R indica que a posição ocupada pelas impurezas parece ter papel fundamental na alteração de tenacidade deste sistema.

Keywords

simulações atomísticas, contorno de grão, fraturas

simulações atomísticas, contorno de grão, fraturas