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Congresso Anual da ABM


ISSN 2594-5327

58º Congresso anual Vol. 58 , num. 1 (2003)


Título

TRIODO-MAGNETRON-SPUTTERING: VIABILIDADE PARA DEPOSIÇÃO REATIVA DE FILMES FINOS

TRIODO-MAGNETRON-SPUTTERING: VIABILIDADE PARA DEPOSIÇÃO REATIVA DE FILMES FINOS

Autoria

DOI

10.5151/2594-5327-2791

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Resumo

O sistema Triodo-Magnetron-Sputtering diferencia-se do magnetron-sputtering convencional pela introdução de um terceiro eletrodo que consiste de uma tela aterrada, posicionada próximo ao alvo. Esta modificação proporciona uma descarga com menor voltagem de ignição e, principalmente, mais estável. Observa-se um significativo aumento na taxa de ionização bem como na faixa de operação dos parâmetros da descarga como pressão, voltagem, corrente e proporção de gás reativo. Também não se observa o tradicional e indesejável ciclo de histerese para o N₂, que ocorre em deposições reativas por magnetron-sputtering convencional. A possibilidade de manter a descarga a pressões menores, proporciona a deposição de filmes com alta densidade e estrutura de grãos muito finos. O recolhimento de elétrons frios pela tela, anteriormente aprisionados no campo magnético é a provável causa para o melhor desempenho do sistema Triodo-Magnetron-Sputtering em relação ao magnetron-sputtering convencional.

 

O sistema Triodo-Magnetron-Sputtering diferencia-se do magnetron-sputtering convencional pela introdução de um terceiro eletrodo que consiste de uma tela aterrada, posicionada próximo ao alvo. Esta modificação proporciona uma descarga com menor voltagem de ignição e, principalmente, mais estável. Observa-se um significativo aumento na taxa de ionização bem como na faixa de operação dos parâmetros da descarga como pressão, voltagem, corrente e proporção de gás reativo. Também não se observa o tradicional e indesejável ciclo de histerese para o N₂, que ocorre em deposições reativas por magnetron-sputtering convencional. A possibilidade de manter a descarga a pressões menores, proporciona a deposição de filmes com alta densidade e estrutura de grãos muito finos. O recolhimento de elétrons frios pela tela, anteriormente aprisionados no campo magnético é a provável causa para o melhor desempenho do sistema Triodo-Magnetron-Sputtering em relação ao magnetron-sputtering convencional.

Palavras-chave

Magnetron, Filmes, Sputtering

Magnetron, Filmes, Sputtering

Como citar

Fontana, Luís César; Recco, Abel André Cândido. TRIODO-MAGNETRON-SPUTTERING: VIABILIDADE PARA DEPOSIÇÃO REATIVA DE FILMES FINOS, p. 1935-1943. In: 58º Congresso anual, Rio de Janeiro, Brasil, 2003.
ISSN: 2594-5327, DOI 10.5151/2594-5327-2791